技术资料
制造商零件编号:ZXMC4A16DN8TA
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A,3.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250mA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):770pF @ 40V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
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