制造商零件编号：ZXMC3A17DN8TC

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A，3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 25V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

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