技术资料
制造商零件编号:ZXM66P02N8TA
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2068pF @ 15V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
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