制造商零件编号：NMSD200B01-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SOT-363

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