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NMSD200B01-7-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
  • 封装:SOT-363
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:NMSD200B01-7

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:二极管(隔离式)

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 50mA,5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V

    功率 - 最大值:200mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

    供应商器件封装:SOT-363

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