制造商零件编号：DMT8012LFG-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Ta），35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 12A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1949pF @ 40V

功率 - 最大值：2.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

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