制造商零件编号：DMS2120LFWB-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 2.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：632pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN3020B（3x2）

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