制造商零件编号：DMP56D0UFB-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.58nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50.54pF @ 25V

功率 - 最大值：425mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-UFDFN

供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）

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