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技术资料
制造商零件编号:DMP31D0UFB4-7B
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):540mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):76pF @ 15V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
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