技术资料
制造商零件编号:DMP3105LVT-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.1A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):839pF @ 15V
功率 - 最大值:1.15W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:TSOT-23-6
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