制造商零件编号：DMP21D0UFB-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 20V 770MA DFN1006-3

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：770mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：495 毫欧 @ 400mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：76.5pF @ 10V

功率 - 最大值：430mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-UFDFN

供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）

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