技术资料
制造商零件编号:DMP1045UFY4-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):32 毫欧 @ 4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23.7nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1291pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:*
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