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DMN601VK-7-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT-563
  • 封装:SOT-563
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:DMN601VK-7

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT-563

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):305mA

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V

    功率 - 最大值:250mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-563,SOT-666

    供应商器件封装:SOT-563

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