技术资料
制造商零件编号:DMN5L06VA-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):280mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 200mA,2.7V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
我们提供DIODES全系列IC,包含DMN5L06VA-7官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解DMN5L06VA-7。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015