制造商零件编号：DMN3900UFA-7B

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：550mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：760 毫欧 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：42.2pF @ 25V

功率 - 最大值：390mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：3-X2-DFN0806

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