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DMN2400UFB-7-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
  • 封装:3-X1DFN1006
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 帮您全面了解DMN2400UFB-7官方指导价、参数、批号、封装、技术资料
    技术资料

    制造商零件编号:DMN2400UFB-7

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):750mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):550 毫欧 @ 600mA,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.5nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):36pF @ 16V

    功率 - 最大值:470μW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:3-XFDFN

    供应商器件封装:3-X1DFN1006

    我们提供DIODES全系列IC,包含DMN2400UFB-7官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解DMN2400UFB-7。

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