制造商零件编号：DMN21D2UFB-7B

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：760mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：990 毫欧 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.93nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：27.6pF @ 16V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）

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