制造商零件编号：DMN2114SN-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SC-59-3

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