制造商零件编号：DMN2040LTS-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 10V

功率 - 最大值：890mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

我们提供DIODES全系列IC，包含DMN2040LTS-13官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解DMN2040LTS-13。