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DMN2040LTS-13-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
  • 封装:8-TSSOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:DMN2040LTS-13

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

    系列:-

    FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.7A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):26 毫欧 @ 6A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):570pF @ 10V

    功率 - 最大值:890mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

    供应商器件封装:8-TSSOP

    我们提供DIODES全系列IC,包含DMN2040LTS-13官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解DMN2040LTS-13。

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