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技术资料
制造商零件编号:DMN2028UFDH-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):151pF @ 10V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商器件封装:PowerDI3030-8
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