制造商零件编号：DMN2023UCB4-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：-

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.45W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA

供应商器件封装：X1-WLB1818-4

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