制造商零件编号：DMN2016LFG-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1472pF @ 10V

功率 - 最大值：770mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-UDFN3030

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