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技术资料
制造商零件编号:DMN2005LPK-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):440mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:450mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
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