制造商零件编号：DMN1260UFA-7B

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 12V 0.2A X2DFN-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：500mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：366 毫欧 @ 200mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.96nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 10V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：X2-DFN0806-3

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