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技术资料
制造商零件编号:DMN1150UFB-7B
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.41A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):106pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-UFDFN
供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6)
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