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DMN1150UFB-7B-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
  • 封装:3-DFN1006
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:DMN1150UFB-7B

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):12V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.41A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1A, 4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):106pF @ 10V

    功率 - 最大值:500mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:3-UFDFN

    供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6)

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