制造商零件编号：DMN100-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SC-59-3

我们提供DIODES全系列IC，包含DMN100-7官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解DMN100-7。