技术资料
制造商零件编号:DMG9926UDM-7
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):856pF @ 10V
功率 - 最大值:980mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
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