制造商零件编号：DMG6602SVT-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A，2.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 15V

功率 - 最大值：840mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：TSOT-23-6

我们提供DIODES全系列IC，包含DMG6602SVT-7官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解DMG6602SVT-7。