制造商零件编号：DMG4800LK3-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 10A TO252

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：798pF @ 10V

功率 - 最大值：1.71W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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