制造商零件编号：DMG4511SK4-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道，共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：35V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A，5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 8A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 25V

功率 - 最大值：1.54W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：TO-252-4L

我们提供DIODES全系列IC，包含DMG4511SK4-13官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解DMG4511SK4-13。