制造商零件编号：DMC2020USD-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.8A， 6.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1149pF @ 10V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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