技术资料
制造商零件编号:AON6812
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):27A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1720pF @ 15V
功率 - 最大值:4.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-DFN-EP (5.2x5.55)
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