技术资料
制造商零件编号:AON5810
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.7A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 7.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1360pF @ 10V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘
供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)
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