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AON5802B-AOS
  • 制造商:AOS
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:0
  • 封装:6-DFN-EP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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  • 帮您全面了解AON5802B官方指导价、参数、批号、封装、技术资料
    技术资料

    制造商零件编号:AON5802B

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

    系列:-

    FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.2A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 7A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1150pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.6W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘

    供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)

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