图片信息
- 制造厂家：Toshiba
- 类别封装：晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管（分立半导体），TO-243AA
- 技术参数：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
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MT3S111P(TE12L,F) 技术参数详情：
- 产品型号:MT3S111P(TE12L,F)
- 产品品牌:Toshiba Semiconductor and Storage
- 产品类目:晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管（分立半导体）
- 产品描述:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
- 产品封装:TO-243AA
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V
- 频率 - 跃迁:8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1GHz
- 增益:10.5dB
- 功率 - 最大值:1W
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商器件封装:PW-MINI
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