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TP44400SG 技术参数详情：
- 产品型号:TP44400SG
- 产品品牌:Tagore Technology
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
- 产品封装:22-PowerVFQFN
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 500mA，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 2.8mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:0.75 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:22-QFN（5x7）
- 封装/外壳:22-PowerVFQFN
- 快速提供TP44400SG专业且全面的报价，Tagore代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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