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TP44110HB 技术参数详情：
- 产品型号:TP44110HB
- 产品品牌:Tagore Technology
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列（分立半导体）
- 产品描述:GANFET 2N-CH 650V 30QFN
- 产品封装:30-PowerWFQFN
- 产品系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:650V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:118 毫欧 @ 500mA，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 11mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:3nC @ 6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:110pF @ 400V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:30-PowerWFQFN
- 供应商器件封装:30-QFN（8x10）
- 快速提供TP44110HB专业且全面的报价，Tagore代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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