射频微波器件采购网,轻松满足您的射频微波器件采购需求
UF3SC120040B7S采购平台
Qorvo代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
Qorvo产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
UF3SC120040B7S 图片
  • 制造厂家:Qorvo
  • 类别封装:晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分立半导体),TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
  • 技术参数:1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
  • 需要UF3SC120040B7S的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价,满足您的目标价格
UF3SC120040B7S 技术参数详情:
  • 产品型号:UF3SC120040B7S
  • 产品品牌:Qorvo
  • 产品类目:晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分立半导体)
  • 产品描述:1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
  • 产品封装:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
  • 产品系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 南皇定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
  • 漏源电压(Vdss):1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 35A,12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):43 nC @ 12 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):214W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK-7
  • 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
  • 快速提供UF3SC120040B7S专业且全面的报价,Qorvo代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Qorvo品牌LOGO
更多Qorvo产品:
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
  • 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
  • RF 天线(射频和无线)
  • 端子块 > 针座、插头和插座(连接器,互连器
  • 端子块 > 线对板(连接器,互连器件)
  • 端子块 > 端子块配件 > 端子块标记条(连接
  • 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管(分
UF3SC120040B7S(制造商:Qorvo) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台