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- 制造厂家：Qorvo
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），4-PowerTSFN
- 技术参数：SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
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UF3SC065030D8S 技术参数详情：
- 产品型号:UF3SC065030D8S
- 产品品牌:Qorvo
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
- 产品封装:4-PowerTSFN
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42毫欧 @ 20A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:6V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:43 nC @ 12 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:179W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DFN（8x8）
- 封装/外壳:4-PowerTSFN
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