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图片信息
PXN012-60QLJ 图片
PXN012-60QLJ
  • 制造厂家：Nexperia
  • 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），8-PowerVDFN
  • 技术参数：PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
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PXN012-60QLJ 技术参数详情：
  • 产品型号:PXN012-60QLJ
  • 产品品牌:Nexperia USA Inc.
  • 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
  • 产品描述:PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
  • 产品封装:8-PowerVDFN
  • 产品系列:-
  • 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:18.77 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:957 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:34.7W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:MLPAK33
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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