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PMV52ENER 技术参数详情：
- 产品型号:PMV52ENER
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
- 产品封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:3.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:630mW（Ta），5.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-236AB
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 快速提供PMV52ENER专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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