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图片信息
PMPB12R7EPX 图片
PMPB12R7EPX
  • 制造厂家：Nexperia
  • 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），6-UDFN 裸露焊盘
  • 技术参数：PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
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PMPB12R7EPX 技术参数详情：
  • 产品型号:PMPB12R7EPX
  • 产品品牌:Nexperia USA Inc.
  • 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
  • 产品描述:PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
  • 产品封装:6-UDFN 裸露焊盘
  • 产品系列:TrenchMOS
  • 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.5 毫欧 @ 8.7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1638 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），12.5W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DFN2020M-6
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
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