图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），3-XFDFN
- 技术参数：PMCB60XNE/SOT8026/DSN1006-3
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PMCB60XNEZ 技术参数详情：
- 产品型号:PMCB60XNEZ
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:PMCB60XNE/SOT8026/DSN1006-3
- 产品封装:3-XFDFN
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta），7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DSN1006-3
- 封装/外壳:3-XFDFN
- 快速提供PMCB60XNEZ专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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