图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8SO
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PHK18NQ03LT,518 技术参数详情：
- 产品型号:PHK18NQ03LT,518
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8SO
- 产品封装:8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）
- 产品系列:TrenchMOS
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.9 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 12 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:6.25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SO
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）
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