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图片信息
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GAN140-650EBEZ
  • 制造厂家：Nexperia
  • 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），8-VDFN 裸露焊盘
  • 技术参数：650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
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GAN140-650EBEZ 技术参数详情：
  • 产品型号:GAN140-650EBEZ
  • 产品品牌:Nexperia USA Inc.
  • 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
  • 产品描述:650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
  • 产品封装:8-VDFN 裸露焊盘
  • 产品系列:-
  • 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，6V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 17.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:+7V，-1.4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:125 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:113W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
  • 供应商器件封装:DFN8080-8
  • 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
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