图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），8-VDFN 裸露焊盘
- 技术参数：650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
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GAN080-650EBEZ 技术参数详情：
- 产品型号:GAN080-650EBEZ
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
- 产品封装:8-VDFN 裸露焊盘
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 8A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 30.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 6 V
- Vgs（最大值）:+7V，-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:225 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:240W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:DFN8080-8
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 快速提供GAN080-650EBEZ专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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