图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：二极管 > 齐纳（分立半导体），SOD-882
- 技术参数：DIODE ZENER 9.1V 250MW DFN1006-2
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BZX884-B9V1,315 技术参数详情：
- 产品型号:BZX884-B9V1,315
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:二极管 > 齐纳（分立半导体）
- 产品描述:DIODE ZENER 9.1V 250MW DFN1006-2
- 产品封装:SOD-882
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
- 容差:±2%
- 功率 - 最大值:250 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt):10 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商器件封装:DFN1006-2
- 快速提供BZX884-B9V1,315专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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