图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管（分立半导体），DO-204AH，DO-35，轴向
- 技术参数：DIODE ZENER 11V 400MW ALF2
- 需要BZX79-B11,113的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
BZX79-B11,113 技术参数详情：
- 产品型号:BZX79-B11,113
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管（分立半导体）
- 产品描述:DIODE ZENER 11V 400MW ALF2
- 产品封装:DO-204AH，DO-35，轴向
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):11 V
- 容差:±2%
- 功率 - 最大值:400 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt):20 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 200°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装:ALF2
- 快速提供BZX79-B11,113专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Nexperia产品：
瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管（电路
二极管 > 齐纳（分立半导体）
逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器（集
逻辑 > 锁存器（集成电路（IC））
晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立
逻辑 > 门和反相器（集成电路（IC））
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管（电路
逻辑 > 门和反相器（集成电路（IC））
二极管 > 齐纳（分立半导体）
嵌入式 > FPGA（现场可编程门阵列）（集成电
射频混频器（射频和无线）
延时继电器（工业自动化与控制）
射频开关（射频和无线）
工业照明控制（工业自动化与控制）
BZX79-B11,113（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台