图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
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BSH111,235 技术参数详情：
- 产品型号:BSH111,235
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
- 产品封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 产品系列:TrenchMOS
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):335mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:1 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-236AB
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 快速提供BSH111,235专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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BSH111,235（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台