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MRF581G 技术参数详情：
- 产品型号:MRF581G
- 产品品牌:Microsemi Corporation
- 产品类目:晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管（分立半导体）
- 产品描述:RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
- 产品封装:微型-X 陶瓷 84C
- 产品系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V
- 频率 - 跃迁:5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益:13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值:1.25W
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装:微型-X 陶瓷 84C
- 快速提供MRF581G专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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互锁开关（开关）
同轴电缆（射频）（电缆组件）
接近传感器 - 工业（传感器，变送器）
光学传感器 > 图像传感器，镜头，摄像头（传
嵌入式 > FPGA（现场可编程门阵列）（集成电
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