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- 制造厂家：Integra
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET（分立半导体），PL32A2
- 技术参数：RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
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IGN1011L70 技术参数详情：
- 产品型号:IGN1011L70
- 产品品牌:Integra Technologies Inc.
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
- 产品封装:PL32A2
- 产品系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 技术:GaN HEMT
- 配置:-
- 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:22dB
- 电压 - 测试:50 V
- 额定电流（安培）:-
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:22 mA
- 功率 - 输出:80W
- 电压 - 额定:120 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:PL32A2
- 供应商器件封装:PL32A2
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